Новости

Объявлены три лауреата Премии Саммита дизайн-центров электроники

26 мая в рамках Саммита дизайн-центров электроники прошла презентация лауреатов Премии Саммита дизайн-центров электроники «Лидер управления проектами по созданию гражданской электроники».

Цель Премии: 
  • привлечь внимание к значимости поддержки руководителей проектов по созданию гражданской электронной продукции;
  • создание позитивного облика продукции электронной промышленности через историю конкретных людей, руководивших проектами по её созданию;
  • продвижение ценности профессионализма руководителей проектов организаций электронной промышленности;
  • создание позитивного информационного поля
  • для дополнительной мотивации руководителей и команд разрабатываемых
  • в настоящее время проектов на реализацию их творческого, лидерского потенциала;
  • продвижение российских брендов работодателей;
  • продвижение гражданской продукции дизайн-центров электроники.

По итогам предварительного отбора на Премию было заявлено 9 номинантов:
1. Волобуев Кирилл, начальник отдела разработки приборов IGBT АО «Протон-Электротекс»
Разработка: «IGBT модули - MIAA и MIFA»
2. Воробьев Павел, Исполнительный директор QRate
Разработка: «Научно-образовательный комплекс квантового распределения ключей (НОК КРК)»
3. Кравченко Юлия, руководитель проектов по микроэлектронике АО «РАСУ»
Разработка: «MRAM, Микроконтроллер для IoT»
4. Малышев Илья, директор по развитию АО «НПО «ЭРКОН»
Разработка: «Аттенюатор ПР1-25»
5. Меш Максим, заместитель генерального директора по НТР АО «СКТБ Кольцова»
Разработка: «Разработка и производство клавиатурных модулей для различных применений»
6. Романов Александр, начальник отдела АО «НПП «Радар ммс»
Разработка: «Автомобильный датчик метана»
7. Сердин Олег, заместитель заведующего отделением ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
Разработка: «Программируемый логический контроллер «Багет-ПЛК1»
8. Урманов Денис, заместитель генерального директора по науке, к.т.н. ООО «Совтест АТЕ»
Разработка: «Стенд измерительный для контроля параметров микроэлектронных компонентов FT-17DT-256»
9. ЦНИИ Электрон 
Разработка: «КМОП датчик корпусированный с охлаждением»

В голосовании по определению лауреатов приняли участие более 2 000 человек. По итогам голосования было выявлено 3 лауреата Премии:
 
1. Кравченко Юлия, руководитель проектов по микроэлектронике АО «РАСУ»
Разработка: «MRAM, Микроконтроллер для IoT»
2. Павел Воробьёв, исполнительный директор QRate 
Разработка: «Научно-образовательный комплекс квантового распределения ключей (НОК КРК)»
3. Урманов Денис, заместитель генерального директора по науке, к.т.н. ООО «Совтест АТЕ»
Разработка: «Стенд измерительный для контроля параметров микроэлектронных компонентов FT-17DT-256»

Лауреаты премии получат электронный диплом, интервью и краткий репортаж о продукции на официальном сайте Организатора Премии – АКРП – Консорциум дизайн-центров (https://radelprom.pro/), а также на официальном сайте Саммита дизайн-центров электроники (http://summit-dce.ru/).